面對(duì)社會(huì)的需要和系統(tǒng)調(diào)節(jié)要求，電源轉(zhuǎn)換效率都是電子系統(tǒng)中優(yōu)先考慮的因數(shù)，尤其是從電動(dòng)汽車(chē)(EV)到高壓通訊，以及工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施整個(gè)應(yīng)用范圍，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度，對(duì)于一個(gè)成功的電源設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)都是關(guān)鍵。為適應(yīng)這些要求，開(kāi)關(guān)式電源的設(shè)計(jì)者必須轉(zhuǎn)變思路：從傳統(tǒng)的硅基(Si)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的利用(因其已很快接近理論極限)，取而代之，應(yīng)考慮采用基于寬帶隙(WBG)的材料，例如將氮化鎵(GaN)用于功率器件。GaN器件較之Si器件，電源開(kāi)關(guān)速度更快，可操控更高的電壓和功率。對(duì)于給定的功率級(jí)，體積要小得多，并能以很高的電源效率運(yùn)行。
本文對(duì)GaN FET的基本性能進(jìn)行了驗(yàn)證，在開(kāi)關(guān)式電源的功率電路中，已顯示出超越傳統(tǒng)Si器件的優(yōu)越性，對(duì)其電源應(yīng)用也進(jìn)行了討論。
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