1 月 27 日消息，原子能信息實驗室近日發(fā)布預告，表示將出席1月31日開幕的2024年美國西部光電博覽會，發(fā)表兩篇關于其Micro LED技術進展的論文，介紹如何制造數(shù)據速率密度更高的LED矩陣，以及如何減少小尺寸LED的效率損失。
在《使用CMOS兼容方法與InGaN / GaN微型LED進行并行通信》論文中，原子能信息實驗室將介紹如何直接在200毫米硅基板上制造LED，為生產由專用CMOS電路獨立控制、幾微米級別的LED矩陣鋪平了道路。
InGaN / GaN微型發(fā)光二極管因其堅固耐用、大規(guī)模可用性和達到GHz級帶寬的能力，成為實現(xiàn)高數(shù)據速率光通信的有力候選器件。
LED 陣列使用InGaN / GaN微型發(fā)光二極管，可以實現(xiàn)大規(guī)模并行傳輸，從而達到高數(shù)據速率密度。
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原子能信息實驗室還研發(fā)出一種將GaN LED矩陣集成到CMOS ASIC上的專利工藝，通過將微型LED直接粘接在200毫米硅晶片上，并使用氮化鎵基器件作為發(fā)射器和快速光電探測器，優(yōu)化了微型LED的集成度。
另一項論文名為《在藍寶石、獨立GaN和硅上，InGaN量子阱厚度對其載流擴散長度的影響》。
該機構表示：“我們通過實驗證明，可以通過減少InGaN量子阱的厚度來減少擴散長度。此外，我們還展示了在大型量子阱中觀察到的與功率相關的、意想不到的擴散行為，這可能有助于我們理解發(fā)射器的物理學原理。”（來源：IT之家） |
