當(dāng)今系統(tǒng)可靠性設(shè)計和分析成為工業(yè)級系統(tǒng)的一個重要舉措,由此也遇到了更多的挑戰(zhàn),如靜電放電(ESD)和電磁干擾(EMl)及其一些極端應(yīng)用環(huán)境,如航空航天、汽車和醫(yī)療領(lǐng)域。這些已成為設(shè)計能否順利及時完成和產(chǎn)品使用壽命的關(guān)鍵。應(yīng)該說,影響設(shè)計完成和產(chǎn)品與系統(tǒng)使用壽命特殊性和重要性的因素由多種,而普遍而又突出是SiC MOSFET可靠性保護(hù)與IGBT和MOSFET免受ESD損壞是關(guān)系并成為到工業(yè)級系統(tǒng)失效率和壽命的痛點與挑戰(zhàn)。這是工業(yè)級系統(tǒng)設(shè)計者與廠商必須應(yīng)對的重要熱點所在。
值此本文僅將對SiC MOSFET的快速短路檢測與保護(hù)和IGBT和MOSFET免受ESD損壞與靜電擊穿及新型靜電防護(hù)技術(shù)等二大熱點作研討。與此同時對伴隨可靠性解決方案中的SiC MOSFET的快速短路檢測與保護(hù)及高速SoC和RFIC電磁串?dāng)_解決方案應(yīng)用中的舉措及新趨勢作分析說明。

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